檢測(cè)項(xiàng)目

晶體結(jié)構(gòu)分析：通過(guò)高分辨率透射電子顯微鏡成像，分析鱗片石墨的晶格排列和晶體學(xué)參數(shù)，確保材料具有標(biāo)準(zhǔn)石墨烯層狀結(jié)構(gòu)，為性能評(píng)估提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

晶粒尺寸測(cè)量：利用TEM圖像統(tǒng)計(jì)晶粒尺寸分布，計(jì)算平均晶粒大小和均勻性，評(píng)估石墨材料的結(jié)晶完整性對(duì)力學(xué)和電學(xué)性能的影響。

缺陷類(lèi)型鑒定：觀察并分類(lèi)石墨中的點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)和層錯(cuò)等微觀缺陷，分析缺陷密度和分布，關(guān)聯(lián)材料的熱穩(wěn)定性和導(dǎo)電性變化。

相組成分析：通過(guò)電子衍射和成像對(duì)比度差異，識(shí)別石墨中可能存在的非晶相或雜質(zhì)相，確保材料相純度滿(mǎn)足應(yīng)用要求。

元素分布分析：結(jié)合能譜儀進(jìn)行元素面掃描，定量分析碳、氧等元素的空間分布，檢測(cè)雜質(zhì)元素濃度及偏聚現(xiàn)象。

高分辨率成像：獲取原子級(jí)分辨率圖像，直接觀察石墨烯層間距和堆疊方式，驗(yàn)證晶體結(jié)構(gòu)的完整性和有序度。

電子衍射分析：采集選區(qū)電子衍射花樣，確定晶體取向和相結(jié)構(gòu)，用于鑒別石墨多型如六方石墨和菱方石墨。

樣品厚度測(cè)定：利用電子能量損失譜或會(huì)聚束電子衍射技術(shù)估算樣品局部厚度，確保成像條件標(biāo)準(zhǔn)化和定量分析準(zhǔn)確性。

表面形貌觀察：通過(guò)明場(chǎng)或暗場(chǎng)成像模式觀察石墨表面粗糙度和顆粒形態(tài)，評(píng)估材料加工工藝對(duì)表面質(zhì)量的影響。

界面結(jié)構(gòu)表征：分析石墨與襯底或其他材料的界面結(jié)合狀態(tài)，檢測(cè)界面反應(yīng)層厚度和缺陷，為復(fù)合材料應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支持。

應(yīng)變分析：測(cè)量晶格畸變和局部應(yīng)變場(chǎng)，評(píng)估石墨在應(yīng)力下的變形行為，關(guān)聯(lián)材料的機(jī)械性能和耐久性。

檢測(cè)范圍

鋰離子電池負(fù)極材料：鱗片石墨作為鋰離子電池負(fù)極活性物質(zhì)，其微觀結(jié)構(gòu)影響電池容量和循環(huán)壽命，TEM檢測(cè)可評(píng)估石墨化度和缺陷濃度。

高純石墨電極：用于電弧爐或電解槽的高純石墨制品，需保證晶體結(jié)構(gòu)完整性，TEM分析有助于檢測(cè)微觀雜質(zhì)和結(jié)構(gòu)不均勻性。

核反應(yīng)堆慢化劑：核級(jí)石墨作為中子慢化材料，要求高純度和抗輻照性能，TEM檢測(cè)可觀察輻照缺陷和微觀結(jié)構(gòu)變化。

潤(rùn)滑劑添加劑：鱗片石墨在高溫潤(rùn)滑劑中應(yīng)用，其層狀結(jié)構(gòu)影響潤(rùn)滑性能，TEM分析可驗(yàn)證層間結(jié)合狀態(tài)和分散均勻性。

復(fù)合材料增強(qiáng)相：石墨作為聚合物或金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體，TEM檢測(cè)可表征界面結(jié)合強(qiáng)度和分散情況，優(yōu)化材料性能。

導(dǎo)電涂料：用于電子器件的導(dǎo)電涂層石墨材料，TEM分析確保石墨顆粒形貌和尺寸分布滿(mǎn)足導(dǎo)電性要求。

密封材料：石墨密封件在高溫高壓環(huán)境下使用，TEM檢測(cè)評(píng)估晶體取向和缺陷密度對(duì)密封性能的影響。

耐火材料：石墨在耐火磚中作為抗氧化組分，TEM分析可檢測(cè)石墨與基體的反應(yīng)層，提高材料耐久性。

燃料電池雙極板：石墨雙極板需高導(dǎo)電和耐腐蝕性，TEM檢測(cè)觀察表面微觀結(jié)構(gòu)和腐蝕產(chǎn)物，優(yōu)化材料設(shè)計(jì)。

航空航天熱防護(hù)材料：石墨基熱防護(hù)系統(tǒng)要求高導(dǎo)熱和穩(wěn)定性，TEM分析驗(yàn)證微觀結(jié)構(gòu)在極端溫度下的變化行為。

電子封裝材料：石墨用于芯片散熱的封裝材料，TEM檢測(cè)確保導(dǎo)熱路徑的連續(xù)性和界面熱阻控制。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ISO 13322-1:2014：粒度分析-圖像分析法部分，規(guī)定了使用電子顯微鏡圖像進(jìn)行顆粒尺寸統(tǒng)計(jì)的方法，適用于石墨粉末的粒徑分布測(cè)定。

ASTM E112-13：晶粒度測(cè)定的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法，提供了金屬和材料晶粒尺寸的測(cè)量指南，可用于石墨晶粒統(tǒng)計(jì)評(píng)估。

GB/T 23413-2009：納米粉末粒度分布的測(cè)定-透射電子顯微鏡法，明確了TEM圖像分析納米顆粒尺寸的步驟和誤差控制要求。

ISO 16700:2016：微束分析-掃描電子顯微鏡-校準(zhǔn)圖像放大倍數(shù)指南，部分內(nèi)容可參考用于TEM放大倍數(shù)校準(zhǔn)確保測(cè)量準(zhǔn)確性。

ASTM E766-14：掃描電子顯微鏡圖像放大倍率校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，雖針對(duì)SEM但原理適用于TEM成像系統(tǒng)驗(yàn)證。

GB/T 21649.1-2008：粒度分析-圖像分析法第1部分：靜態(tài)圖像法，規(guī)定了通過(guò)靜態(tài)圖像分析顆粒形貌和尺寸的通用要求。

ISO 25498:2018：微束分析-分析電子顯微鏡-波長(zhǎng)色散譜分析用標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法，適用于TEM結(jié)合能譜儀的元素定量分析。

檢測(cè)儀器

透射電子顯微鏡：利用高能電子束穿透薄樣品成像的儀器，提供納米級(jí)分辨率的結(jié)構(gòu)信息，在本檢測(cè)中用于獲取鱗片石墨的高分辨率晶格像和衍射花樣。

超薄切片機(jī)：通過(guò)金剛石刀切割樣品的設(shè)備，可制備厚度小于100納米的超薄切片，確保TEM觀察時(shí)電子束有效穿透樣品減少散射。

離子減薄儀：采用氬離子束轟擊樣品表面進(jìn)行減薄的儀器，用于制備電子透明薄區(qū)，特別適合脆性石墨材料的無(wú)損制樣。

能譜儀：安裝在TEM上的X射線(xiàn)探測(cè)器，進(jìn)行元素定性和定量分析，在本檢測(cè)中用于 mapping 石墨中的雜質(zhì)元素分布和濃度測(cè)定。

電子能量損失譜儀：分析透射電子能量損失的附件，提供元素成分和化學(xué)態(tài)信息，用于檢測(cè)石墨的碳鍵合狀態(tài)和輕元素含量。

冷凍傳輸 holder：用于低溫樣品轉(zhuǎn)移的附件，保持樣品在分析過(guò)程中的穩(wěn)定性，防止石墨在電子束照射下發(fā)生損傷或污染。

檢測(cè)報(bào)告作用用作

銷(xiāo)售報(bào)告：出具正規(guī)第三方檢測(cè)報(bào)告讓客戶(hù)更加信賴(lài)自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說(shuō)服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測(cè)工程師和先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時(shí)間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門(mén)檢測(cè)產(chǎn)品，進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn)，為相關(guān)部門(mén)提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測(cè)周期短，同時(shí)所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問(wèn)題診斷：較短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出產(chǎn)品問(wèn)題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類(lèi)型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國(guó)家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測(cè)試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測(cè)能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時(shí)，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿(mǎn)足您的需求和市場(chǎng)要求。