沖擊強(qiáng)度測(cè)試：通過(guò)施加瞬時(shí)高能沖擊載荷，測(cè)定LED芯片封裝結(jié)構(gòu)在單次沖擊下的臨界斷裂強(qiáng)度，評(píng)估芯片抗機(jī)械過(guò)載能力，為結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供失效閾值數(shù)據(jù)。

跌落沖擊測(cè)試：模擬芯片在運(yùn)輸或安裝過(guò)程中從不同高度跌落到硬質(zhì)表面的工況，檢測(cè)焊點(diǎn)連接可靠性及芯片裂紋擴(kuò)展行為，驗(yàn)證產(chǎn)品抗意外撞擊性能。

振動(dòng)疲勞測(cè)試：在特定頻率和振幅下對(duì)芯片進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間往復(fù)振動(dòng)，分析其金屬引線鍵合點(diǎn)疲勞壽命，預(yù)測(cè)在車載或工業(yè)振動(dòng)環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠性。

熱沖擊耦合測(cè)試：結(jié)合高低溫循環(huán)與機(jī)械沖擊，檢測(cè)芯片在溫度驟變下的材料熱膨脹系數(shù)失配問(wèn)題，評(píng)估熱機(jī)械應(yīng)力對(duì)芯片界面分層的影響。

機(jī)械沖擊耐久性測(cè)試：對(duì)芯片施加多次低強(qiáng)度沖擊載荷，統(tǒng)計(jì)其功能失效前的沖擊次數(shù)，量化芯片在重復(fù)輕微沖擊工況下的耐受極限。

沖擊后電性能測(cè)試：在沖擊試驗(yàn)后立即測(cè)量芯片的正向電壓、反向漏電流等參數(shù)，判斷沖擊是否導(dǎo)致半導(dǎo)體結(jié)區(qū)損傷或電極連接失效。

沖擊后光學(xué)性能測(cè)試：通過(guò)積分球光譜分析系統(tǒng)檢測(cè)沖擊后芯片的光通量、色溫及光譜分布變化，評(píng)估沖擊對(duì)發(fā)光層量子效率的影響。

結(jié)構(gòu)完整性顯微檢測(cè)：使用電子顯微鏡觀察沖擊后芯片的金線斷裂、固晶膠開(kāi)裂等微觀缺陷，建立沖擊載荷與失效形態(tài)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

沖擊能量吸收率測(cè)試：通過(guò)力-位移曲線計(jì)算芯片封裝材料在沖擊過(guò)程中的能量耗散比例，分析材料阻尼特性對(duì)沖擊韌性的貢獻(xiàn)。

多軸沖擊測(cè)試：采用多自由度沖擊臺(tái)模擬空間多方向復(fù)合沖擊環(huán)境，檢測(cè)芯片在復(fù)雜載荷下的各向異性抗沖擊能力。

檢測(cè)范圍

氮化鎵基高亮度LED芯片：用于汽車前照燈、投影儀光源等高功率場(chǎng)合，需承受引擎艙振動(dòng)及路面沖擊，其藍(lán)寶石襯底抗裂性是檢測(cè)重點(diǎn)。

鋁鎵銦磷紅光LED芯片：應(yīng)用于交通信號(hào)燈及警示標(biāo)識(shí)，在戶外環(huán)境中易受風(fēng)振沖擊，檢測(cè)需關(guān)注半導(dǎo)體外延層與基板的附著力。

柔性顯示用Micro-LED芯片：用于可穿戴設(shè)備曲面屏幕，彎曲形變可能放大沖擊應(yīng)力，需測(cè)試芯片在柔性基板上的抗剝離強(qiáng)度。

紫外LED芯片：用于殺菌消毒設(shè)備，在移動(dòng)式裝置中頻繁承受晃動(dòng)沖擊，檢測(cè)重點(diǎn)為石英封裝層的抗沖擊透光性。

車用矩陣式LED大燈芯片：集成多像素點(diǎn)驅(qū)動(dòng)電路，需驗(yàn)證沖擊下微透鏡陣列與驅(qū)動(dòng)IC的協(xié)同穩(wěn)定性。

植物生長(zhǎng)照明用LED芯片：在農(nóng)業(yè)溫室內(nèi)受設(shè)備移動(dòng)振動(dòng)影響，檢測(cè)需評(píng)估長(zhǎng)時(shí)間機(jī)械應(yīng)力對(duì)光譜穩(wěn)定性的干擾。

紅外LED芯片：用于安防監(jiān)控夜視系統(tǒng)，在戶外機(jī)箱中承受風(fēng)雨沖擊，需測(cè)試硅膠封裝層的老化抗沖擊性能。

大功率COB集成LED芯片：多芯片封裝結(jié)構(gòu)在沖擊下易產(chǎn)生熱沉脫落，檢測(cè)需關(guān)注陶瓷基板與散熱鰭片的連接可靠性。

車載尾燈LED芯片：安裝于車輛易碰撞區(qū)域，需模擬碎石撞擊測(cè)試芯片封裝膠的抗穿刺能力。

工業(yè)設(shè)備指示燈LED芯片：在機(jī)床振動(dòng)環(huán)境下長(zhǎng)期工作，檢測(cè)重點(diǎn)為引腳焊接點(diǎn)的抗振疲勞壽命。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTM D3332-2022《電子元件機(jī)械沖擊試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)方法》：規(guī)定了電子元器件在半正弦波沖擊脈沖下的測(cè)試條件，包括沖擊加速度、脈沖持續(xù)時(shí)間及夾具要求，適用于LED芯片的沖擊強(qiáng)度等級(jí)劃分。

ISO 16750-3:2023《道路車輛電氣電子設(shè)備環(huán)境條件機(jī)械負(fù)荷》：定義了車載電子設(shè)備在振動(dòng)、沖擊復(fù)合環(huán)境下的測(cè)試流程，明確LED芯片在引擎艙沖擊工況的失效判據(jù)。

GB/T 2423.5-2019《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則：沖擊》：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定沖擊波形生成、安裝方式及檢測(cè)容差，適用于LED芯片在消費(fèi)電子領(lǐng)域的抗沖擊驗(yàn)證。

IEC 60068-2-27:2023《環(huán)境試驗(yàn)第2-27部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea：沖擊》：國(guó)際電工委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)范沖擊試驗(yàn)機(jī)的校準(zhǔn)方法及芯片功能監(jiān)測(cè)要求，確保測(cè)試結(jié)果可比性。

JESD22-B104E-2021《半導(dǎo)體器件機(jī)械沖擊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》：電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)半導(dǎo)體封裝提出沖擊剖面設(shè)計(jì)原則，明確LED芯片焊球陣列的抗沖擊評(píng)價(jià)方法。

MIL-STD-883J-2022《微電子器件試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》：美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定高可靠性芯片在爆炸沖擊環(huán)境下的測(cè)試嚴(yán)酷等級(jí)，適用于航空航天LED芯片檢測(cè)。

GB/T 4937.2-2018《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第2部分：低氣壓、振動(dòng)、沖擊》：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合機(jī)械沖擊與低氣壓環(huán)境，模擬高空應(yīng)用LED芯片的復(fù)合應(yīng)力耐受性。

AEC-Q102-2020《汽車電子委員會(huì)光電子器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》：行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定車規(guī)級(jí)LED芯片在機(jī)械沖擊后的參數(shù)漂移限值，確保車載照明系統(tǒng)可靠性。

ISO 19453-5:2021《道路車輛驅(qū)動(dòng)電機(jī)系統(tǒng)安全要求第5部分：振動(dòng)與沖擊》：針對(duì)電動(dòng)車大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片，規(guī)定電池包沖擊傳遞下的芯片結(jié)構(gòu)評(píng)估方法。

JIS C 60068-2-27:2020《日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境試驗(yàn)方法沖擊試驗(yàn)》：日本標(biāo)準(zhǔn)細(xì)化沖擊脈沖波形容差要求，適用于高精度LED芯片的微沖擊損傷檢測(cè)。

檢測(cè)儀器

跌落沖擊試驗(yàn)臺(tái)：采用電磁釋放機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)可編程跌落高度控制，通過(guò)高速力傳感器記錄沖擊瞬間加速度曲線，用于模擬LED芯片在運(yùn)輸過(guò)程中的自由落體沖擊工況。

液壓伺服沖擊試驗(yàn)機(jī)：具備波形發(fā)生器可生成半正弦波、后峰鋸齒波等多種沖擊脈沖，配合溫控箱實(shí)現(xiàn)熱沖擊耦合測(cè)試，用于驗(yàn)證芯片在極端溫度下的抗沖擊性能。

三軸同時(shí)振動(dòng)沖擊系統(tǒng)：集成三個(gè)正交方向激振器，可同步施加多自由度復(fù)合沖擊，檢測(cè)LED芯片在空間復(fù)雜載荷下的結(jié)構(gòu)共振特性。

高速數(shù)字圖像相關(guān)系統(tǒng)：通過(guò)百萬(wàn)幀率攝像機(jī)捕捉?jīng)_擊過(guò)程中芯片表面微應(yīng)變場(chǎng)，結(jié)合散斑分析軟件量化封裝材料變形，用于失效機(jī)理研究。

微力沖擊測(cè)試儀：采用壓電傳感器測(cè)量毫牛級(jí)微沖擊力，分辨率達(dá)0.1mN，適用于Micro-LED芯片鍵合點(diǎn)的微沖擊強(qiáng)度精確評(píng)估。

溫度沖擊耦合試驗(yàn)箱：可在30秒內(nèi)實(shí)現(xiàn)-55℃至150℃溫度切換，結(jié)合機(jī)械沖擊臺(tái)模擬熱疲勞與沖擊協(xié)同效應(yīng)，檢測(cè)芯片界面分層風(fēng)險(xiǎn)。

激光多普勒測(cè)振儀：非接觸式測(cè)量沖擊下芯片封裝體的振動(dòng)模態(tài)，頻率范圍達(dá)1MHz，用于分析高頻沖擊引起的內(nèi)部結(jié)構(gòu)諧振。

半導(dǎo)體參數(shù)分析儀：在沖擊前后實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片的I-V特性曲線，最小電流分辨率1pA，判斷沖擊是否導(dǎo)致PN結(jié)漏電或歐姆接觸退化。

檢測(cè)報(bào)告作用用作

銷售報(bào)告：出具正規(guī)第三方檢測(cè)報(bào)告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說(shuō)服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測(cè)工程師和先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時(shí)間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測(cè)產(chǎn)品，進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn)，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測(cè)周期短，同時(shí)所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問(wèn)題診斷：較短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出產(chǎn)品問(wèn)題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國(guó)家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測(cè)試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測(cè)能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時(shí)，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場(chǎng)要求。