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高溫合金鑄錠、核反應(yīng)堆包殼管材、航天發(fā)動(dòng)機(jī)葉片坯料、真空熔煉電極棒材、等離子噴涂粉末材料、電子束熔煉錠材、軋制板材規(guī)格件(0.5-50mm)、擠壓管材(φ10-500mm)、鍛造環(huán)件(φ200-2000mm)、3D打印成型件(SLM/DED工藝)、焊接接頭熔敷金屬區(qū)(TIG/EBW工藝)、表面滲層改性材料(滲氮/滲碳處理)、粉末冶金燒結(jié)體(HIP工藝)、單晶生長(zhǎng)試樣(Czochralski法)、定向凝固試棒(Bridgman爐)、腐蝕試驗(yàn)后試樣(高溫水蒸氣環(huán)境)、輻照后材料(中子輻照損傷研究)、回收料重熔試樣(二次熔煉驗(yàn)證)、鍍層截面分析樣(PVD/CVD鍍層)、斷口成分分析樣(SEM-EDS聯(lián)用)、微觀偏析區(qū)域取樣(枝晶間/枝晶干)、夾雜物富集區(qū)定點(diǎn)分析樣(非金屬夾雜評(píng)級(jí))、梯度材料過渡層分析樣(功能梯度材料)、異種金屬焊接擴(kuò)散層分析樣(Nb-Hf/鋼接頭)、快速凝固薄帶試樣(熔體旋淬工藝)、超細(xì)晶材料試樣(等徑角擠壓工藝)、復(fù)合材料界面分析樣(Nb-Hf基復(fù)合材料)、單晶取向驗(yàn)證樣(EBSD分析配套)、疲勞裂紋擴(kuò)展區(qū)取樣(高周疲勞試驗(yàn)后)、蠕變損傷區(qū)域取樣(高溫持久試驗(yàn)后)
電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-OES):利用高頻感應(yīng)等離子體激發(fā)樣品原子發(fā)射特征譜線進(jìn)行定量分析,適用于0.001%-10%含量范圍的元素測(cè)定。
X射線熒光光譜法(XRF):通過測(cè)量樣品受激產(chǎn)生的特征X射線進(jìn)行非破壞性分析,特別適用于固體塊狀樣品的快速篩查。
輝光放電質(zhì)譜法(GD-MS):采用低壓氣體放電電離技術(shù)實(shí)現(xiàn)ppb級(jí)痕量元素的精確測(cè)定。
激光誘導(dǎo)擊穿光譜法(LIBS):利用高能激光脈沖氣化樣品產(chǎn)生等離子體進(jìn)行原位分析,適合現(xiàn)場(chǎng)快速成分診斷。
火花源原子發(fā)射光譜法(Spark-AES):通過高壓火花激發(fā)金屬樣品產(chǎn)生原子光譜進(jìn)行主量元素快速測(cè)定。
二次離子質(zhì)譜法(SIMS):采用聚焦離子束濺射表面原子進(jìn)行微區(qū)成分分析,分辨率可達(dá)亞微米級(jí)。
俄歇電子能譜法(AES):通過測(cè)量俄歇電子能量進(jìn)行表面1-3nm深度范圍內(nèi)的成分表征。
GB/T13747.27-2022鋯及鋯合金化學(xué)分析方法第27部分:鈮量的測(cè)定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法
ASTME2594-22用輝光放電原子發(fā)射光譜法分析金屬及氧化物中痕量金屬的標(biāo)準(zhǔn)指南
ISO14707:2021表面化學(xué)分析-輝光放電發(fā)射光譜法通則
GB/T4336-2016碳素鋼和中低合金鋼火花源原子發(fā)射光譜分析方法
ASTME1621-22用波長(zhǎng)色散X射線熒光光譜法進(jìn)行元素分析的標(biāo)準(zhǔn)指南
ISO17054-2018用X射線熒光光譜法(XRF)近似技術(shù)分析高合金鋼的常規(guī)方法
GB/T20127.8-2020鋼鐵及合金痕量元素的測(cè)定第8部分:氫化發(fā)生-原子熒光光譜法測(cè)定銻含量
ASTME3061-22激光誘導(dǎo)擊穿光譜法(LIBS)金屬及合金成分分析標(biāo)準(zhǔn)指南
ISO18118:2022表面化學(xué)分析-俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中實(shí)驗(yàn)測(cè)定的相對(duì)靈敏度因子的使用指南
GB/T36590-2018金屬基復(fù)合材料高溫成分分析方法通則
全譜直讀ICP光譜儀:配備中階梯光柵分光系統(tǒng)與CID陣列檢測(cè)器,可同步測(cè)定190-900nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的多元素特征譜線。
波長(zhǎng)色散X射線熒光光譜儀:采用多道彎晶分光系統(tǒng)與流氣正比計(jì)數(shù)器組合配置,配備銠靶端窗X光管(4kW)。
脈沖輝光放電質(zhì)譜儀:配置雙聚焦磁質(zhì)譜系統(tǒng)(質(zhì)量分辨率≥3000),配備脈沖式射頻源(13.56MHz)及四級(jí)桿離子傳輸系統(tǒng)。
激光誘導(dǎo)擊穿光譜系統(tǒng):集成Nd:YAG激光器(1064nm,200mJ)、中階梯光柵光譜儀(200-980nm)及ICCD探測(cè)器(2ns門控)。
火花發(fā)射光譜儀:采用氬氣沖洗火花臺(tái)設(shè)計(jì),配備紫外光學(xué)系統(tǒng)(120-200nm)及PMT陣列探測(cè)器。
場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡-能譜聯(lián)用系統(tǒng)(FESEM-EDS):配備Schottky場(chǎng)發(fā)射電子槍(0.8nm分辨率)及硅漂移探測(cè)器(SDD)。
二次離子質(zhì)譜儀:配置液態(tài)金屬離子源(Ga+)、雙聚焦質(zhì)量分析器及多接收器系統(tǒng)。
俄歇電子能譜儀:配備同軸電子槍(10kV,10nA)、半球形能量分析器(能量分辨率0.3%)及多通道探測(cè)器。
銷售報(bào)告:出具正規(guī)第三方檢測(cè)報(bào)告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量,讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。
研發(fā)使用:擁有優(yōu)秀的檢測(cè)工程師和先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備,可降低了研發(fā)成本,節(jié)約時(shí)間。
司法服務(wù):協(xié)助相關(guān)部門檢測(cè)產(chǎn)品,進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn),為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù)。
大學(xué)論文:科研數(shù)據(jù)使用。
投標(biāo):檢測(cè)周期短,同時(shí)所花費(fèi)的費(fèi)用較低。
準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問題診斷:較短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出產(chǎn)品問題點(diǎn),以達(dá)到盡快止損的目的。
北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾:我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn),并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn),選擇適當(dāng)?shù)臋z測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測(cè)試,或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作,我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測(cè)能力,并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時(shí),我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn),以最大程度地滿足您的需求和市場(chǎng)要求。
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