檢測項目

太陽能隱裂檢測涵蓋六大核心指標：1）隱裂紋幾何形態(tài)（包括線狀/網(wǎng)狀/放射狀裂紋分類）；2）裂紋空間定位（電池片邊緣/主柵線/副柵線區(qū)域）；3）裂紋尺寸參數(shù)（長度≥3mm為有效判據(jù)）；4）單位面積裂紋密度（≤5條/cm2為A級標準）；5）裂紋擴展趨勢（應(yīng)力集中區(qū)域動態(tài)監(jiān)測）；6）電性能衰減率（開路電壓下降≤2%，填充因子損失≤3%）。

針對雙玻組件需增加層壓應(yīng)力分析項目，薄膜組件則需設(shè)置橫向貫通裂紋專項檢測。老化組件需同步開展EL衰減對比測試與IV特性曲線偏移量測量。

檢測范圍

本檢測適用于：1）晶體硅光伏組件（單晶/多晶/PERT/TOPCon）；2）薄膜光伏組件（CIGS/CdTe/a-Si）；3）雙面發(fā)電組件；4）建筑一體化光伏構(gòu)件。

應(yīng)用場景包括：1）出廠質(zhì)量驗收（抽樣比例≥3%）；2）電站驗收測試（全容量EL掃描）；3）運維期定期檢查（年度衰減率≥0.8%時觸發(fā)）；4）災(zāi)害后損傷評估（冰雹/風(fēng)壓沖擊后72小時內(nèi)）。

特殊環(huán)境適應(yīng)性檢測需擴展至：1）-40℃低溫冷沖擊試驗；2）85℃/85%RH雙85老化測試；3）2000Pa機械載荷循環(huán)測試后的隱裂萌生監(jiān)測。

檢測方法

1. 電致發(fā)光（EL）成像法：采用980nm紅外相機捕獲載流子復(fù)合輻射，曝光時間控制在30-120s范圍。缺陷識別算法需滿足EN 62788-1-6標準要求。

2. 紅外熱成像法：在STC條件下施加1.2倍標稱電流，使用3-5μm波段熱像儀捕捉溫度異常區(qū)域。溫差分辨率應(yīng)達到0.1K。

3. 光致發(fā)光（PL）掃描：采用532nm激光激發(fā)，配備InGaAs陣列探測器。適用于雙面組件背面缺陷檢測。

4. 超聲波相控陣技術(shù)：使用5MHz探頭陣列實現(xiàn)三維斷層成像，可檢出深度≥200μm的層間裂紋。

5. 機械應(yīng)力測試法：依據(jù)IEC TS 62782進行2400Pa正向/反向循環(huán)加載，配合動態(tài)應(yīng)變測量系統(tǒng)監(jiān)控裂紋擴展。

檢測儀器

1. EL測試系統(tǒng)：包含可編程直流電源（精度±0.05%）、液氮冷卻型CCD相機（量子效率＞65%@900nm）、自動載臺（定位精度±0.1mm）。

2. IV曲線測試儀：具備10ms級脈沖測量能力，電壓量程0-100V±0.2%，電流量程0-15A±0.1%。

3. 紅外熱像儀：NETD＜20mK@25℃，空間分辨率1280×1024像素，配備自動溫度補償模塊。

4. 超聲波探傷儀：64通道相控陣系統(tǒng)，軸向分辨率≤0.1mm，配備專用光伏組件耦合裝置。

5. 環(huán)境試驗箱：溫控范圍-70℃～+150℃±0.5℃，濕度控制范圍10%～98%RH±1%。

所有儀器均需通過 校準認證，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)應(yīng)滿足ISO/IEC 17025標準要求?，F(xiàn)場檢測設(shè)備需具備IP65防護等級及EMC抗干擾認證。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進行科研實驗，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準確的檢測數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當(dāng)?shù)臋z測項目和方法進行分析測試，或根據(jù)您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進新的技術(shù)和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。