檢測項目

• 體積密度與表觀密度測定
• 各向同性度評價（三維力學(xué)性能差異分析）
• 抗壓強(qiáng)度與抗折強(qiáng)度測試
• 熱膨脹系數(shù)（CTE）測量
• 導(dǎo)熱系數(shù)與熱擴(kuò)散率分析
• 電阻率與電導(dǎo)率表征
• 孔隙率及孔徑分布檢測
• 灰分含量與雜質(zhì)元素分析
• 微觀結(jié)構(gòu)掃描（SEM/EDS聯(lián)用）
• 高溫氧化性能評估

檢測范圍

• 單晶硅生長爐用熱場部件（坩堝、加熱器）
• 金屬連鑄結(jié)晶器內(nèi)襯材料
• 核反應(yīng)堆中子慢化體與反射層組件
• EDM放電加工電極材料
• 光伏多晶硅鑄錠爐保溫結(jié)構(gòu)件
• 高溫?zé)Y(jié)模具與治具
• 特種密封環(huán)與軸承組件
• C/C復(fù)合材料基體前驅(qū)體
• 真空熱處理爐發(fā)熱體
• 半導(dǎo)體外延設(shè)備承載盤

檢測方法

• 密度測定：依據(jù)GB/T 24525-2009采用阿基米德排水法進(jìn)行體積密度測試
• 力學(xué)性能：按ASTM C695執(zhí)行三點(diǎn)彎曲試驗獲取抗折強(qiáng)度數(shù)據(jù)
• 熱學(xué)特性：基于激光閃射法（ASTM E1461）測定導(dǎo)熱系數(shù)與熱擴(kuò)散率
• 電阻率測試：采用四探針法（GB/T 24521-2009）進(jìn)行面電阻與體電阻測量
• 孔隙分析：通過壓汞儀（MIP）實現(xiàn)0.003-1000μm孔徑分布表征
• 元素分析：電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）完成痕量金屬雜質(zhì)定量
• 微觀表征：掃描電鏡（SEM）配合能譜儀（EDS）進(jìn)行微區(qū)形貌與成分解析
• 高溫氧化：TGA熱重分析儀在空氣氣氛下測定氧化失重曲線
• 各向同性度：基于X射線衍射（XRD）計算晶粒取向分布指數(shù)（ODF）
• CET測試：TMA熱機(jī)械分析儀按ISO 11359-2標(biāo)準(zhǔn)測量-150℃至2800℃膨脹系數(shù)

檢測儀器

• 萬能材料試驗機(jī)：>電子萬能試驗機(jī)（載荷范圍0.5kN-600kN）配備高溫環(huán)境箱

  檢測報告作用

  檢測報告作用

  銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

  研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進(jìn)的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

  司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進(jìn)行科研實驗，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測數(shù)據(jù)。

  大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

  投標(biāo)：檢測周期短，同時所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

  準(zhǔn)確性高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

  我們的承諾

  　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測項目和方法進(jìn)行分析測試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。